Розвиваєте deep tech?

Ми допоможемо на
будь-якому етапі!

Електрофізичні дослідження тонких плівок, МДН структур та напівпровідникових гетероструктур

Електрофізичні дослідження тонких плівок, МДН структур та напівпровідникових гетероструктур Замовити послугу

Назва послуги/продукції

Електрофізичні дослідження тонких плівок, МДН структур та напівпровідникових гетероструктур

Стислий опис послуги/продукції

Вольт-амперні (I-V) характеристики (0.01 В < |V| < 200 В, 10 пA < |I | < 20 мА).

Вольт-фарадні (C-V) характеристики (-20 В < V < 20В, 50 Гц < F < 1 МГц).

Адмітансна і імпедансна спектроскопія. Діапазон температур 77 – 300 К.

1)    Наявне обладнання

2)    Кадровий потенціал(к-сть) для надання послуги/виробництва продукції

1) Аналізатор параметрів напівпровідникових структур Agilent 4156; вимірювач LCR Agilent 4284, прецизійне джерело живлення Keithley 6487, пікоамперметр Keithley 6485

2) Один старший науковий співробітник

Наявність сертифікації обладнання та устаткування

немає

Наявність охоронних документів об’єктів інтелектуальної власності, їх чинність

немає

Орієнтовна ціна послуги/продукції

Договірна

Які проблеми дана послуга/продукція вирішує

Аналіз струмів втрат крізь діелектричні шари, визначення коефіцієнтів випрямлення напівпровідникових структур, ідентифікація дефектів на межах поділу і в об’ємі напівпровідників, оцінка роботи виходу напівпровідникових матеріалів.

Які підприємства/галузі можуть бути споживачами даної послуги/продукції

Підприємства мікроелектроніки, виробники елементів сонячної енергетики, виробники нових напівпровідникових матеріалів.

Приблизні строки виконання послуги/виготовлення продукції:

а) дослідного зразка;

б) дослідно-промислової партії;

в) впровадження у виробництво.

а) 3 – 5 днів

б) 3 – 5 тижнів

Замовити